ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ И ЛАЗЕРНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОЦЕССЫ ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

Исследовались процессы образования на поверхности пластины кремния ее оксидов при различных температурах и времени отжига и последующем непрерывном воздействии лазерного луча. Лазерный отжиг поверхностных слоев – один из наиболее результативных способов обработки таких материалов, как . Si Ведь примуществом таких способов обработки является возможность проведения отжига в атмосферных условиях. Воздействие лазерного излучения на полупроводники может приводить к различным изменениям их кристаллической структуры, электрофизических и оптических свойств Установлены условия появления на поверхности образца ее оксидов. Непрерывное лазерное облучение после термоотжига образца влияет на процессы окисления. Наблюдаемый рост  SiO₂ c увеличением времени температуры термоотжига, а также последующее лазерное облучение – следствие увеличения скорости окисления, а ее увеличение связано с разложением SiO₂ и последующим испарением продуктов ее размножения.

1. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута. М: Мир, 1982. – 576 с.

2. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев П.К. //Дан.Уз.ССР, 1985, №4. с. 23-28

3. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев П.К. и др. // ЖФХ 1987. т. 61. № 11 с. 3065-3067

4. Карачинов В.А. //ФТП.1997. т.31. № 1 с. 53-55

5. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н., Курбатов М.К., Биланов Б.А. / ФТП. 2000 т. 34. вып.8. с. 929-931

6. Luis A, Mazgues, Lourdes Рelaz, Maria Aboy, Juave Bazbolla // Nud Jnstrum. Methods Phys. Res. b.2004.V. 216. P.57-61

7. Юхневич А.В., Лосик О.П., Кузнецов В.А., Паненко А.В., Поверхность. 2001. № 8 (95).

8. Кошеров Т.С., Жумабекова Г.Е. Генерация выделения кислорода в кремнии при термоотжиге // Вестник КазНИТУ 2016, № 4 с.313-318

9. Шапавалов В.П., Грядун В.И., Королев А.Е. Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении. // ФТП -1995, т.29. вып II. с.1995-2001

10. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов А.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М: Наука.1982. - с.208

11. Корнилов В.М., Лачинов А.Н. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП. 2003, т.37, вып.3, с. 323-327.

12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М: Мир,1984. т.1,2.

13. Кошеров Т.С., Ермолаев В.Н., Мэте А.Н. Модификация поверхности кремния при температурном воздействии // Сб.трудов межд. конференции ―Инженерное образование и наука в 21 веке‖ - Алматы, КазНИТУ им. К.И. Сатпаева, 2014, т. 2, с. 487-490.