THE EFFECT OF HEAT TREATMENT AND LASER EXPOSURE ON THE OXIDATION OF THE SURFACE OF THE SILICON

The processes of silicon wafer formation of its oxides at different temperatures and annealing time and subsequent continuous exposure to the laser beam were investigated. Laser annealing of surface layers is one of the most effective methods of such materials as Si . As the advantages of such processing methods is the possibility of annealing in atmospheric conditions. The conditions for the appearance of its oxides on the surface of the sample are established. Continuous laser irradiation after thermal ignition of the sample affects the oxidation processes. The observed increase SiO₂  in the time of thermal ignition temperature, as well as the subsequent laser irradiation is a consequence of the increase in the oxidation rate, and its increase is associated with the decomposition SiO₂ and subsequent evaporation of the products of its reproduction.

1. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута. М: Мир, 1982. – 576 с.

2. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев П.К. //Дан.Уз.ССР, 1985, №4. с. 23-28

3. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев П.К. и др. // ЖФХ 1987. т. 61. № 11 с. 3065-3067

4. Карачинов В.А. //ФТП.1997. т.31. № 1 с. 53-55

5. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н., Курбатов М.К., Биланов Б.А. / ФТП. 2000 т. 34. вып.8. с. 929-931

6. Luis A, Mazgues, Lourdes Рelaz, Maria Aboy, Juave Bazbolla // Nud Jnstrum. Methods Phys. Res. b.2004.V. 216. P.57-61

7. Юхневич А.В., Лосик О.П., Кузнецов В.А., Паненко А.В., Поверхность. 2001. № 8 (95).

8. Кошеров Т.С., Жумабекова Г.Е. Генерация выделения кислорода в кремнии при термоотжиге // Вестник КазНИТУ 2016, № 4 с.313-318

9. Шапавалов В.П., Грядун В.И., Королев А.Е. Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении. // ФТП -1995, т.29. вып II. с.1995-2001

10. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов А.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М: Наука.1982. - с.208

11. Корнилов В.М., Лачинов А.Н. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП. 2003, т.37, вып.3, с. 323-327.

12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М: Мир,1984. т.1,2.

13. Кошеров Т.С., Ермолаев В.Н., Мэте А.Н. Модификация поверхности кремния при температурном воздействии // Сб.трудов межд. конференции ―Инженерное образование и наука в 21 веке‖ - Алматы, КазНИТУ им. К.И. Сатпаева, 2014, т. 2, с. 487-490.