КРЕМНИЙ БЕТІНІҢ ТОТЫҒУ ПРОЦЕСТЕРІНЕ ТЕРМИЯЛЫҚ ӨҢДЕУ МЕН ЛАЗЕРЛІК ӘСЕРДІҢ ӘСЕРІ

Кремний пластиналарының бетін тнрлі температура мен күйдіру уақытында және лазерлік сәуленің ҥздіксіз әсер етуі кезінде оның оксидтерінің пайда болу процестері зерттелді. Кремний тектес материалдарды өңдеудің ең тиімді әдістерінің бірі – беттік қабаттарды лазерлік күйдіру болып табылады. Өйткені - мұндай әдістердің артықшылығы атмосфералық жағдайда кұйдіру жүргізу мұмкіндігі болып отыр. Лазерлік сәулеленудің жартылай өткізгіштерге әсері олардың кристалдық құрылымының, электрфизикалық және оптикалық қасиеттерінің әртүрлі өзгеруіне әкелуі мұмкін. Үлгі бетінде оның оксидтерінің пайда болатындығы байқалған. Үлгіні үздіксіз лазерлік сәулелену арқылы термокүйдіру тотығу процестеріне әсер етеді. Термокүйдіру температурасы уақытының ұлғаюымен, сондай – ақ лазерлік сәулелендіру арқылы бақыланып отырған  SiO₂ өсуі - тотығу жылдамдығы артуының салдары, ал оның артуы SiO₂ ыдырауына және өнімдердің кезекті булануы оның көбеюіне байланысты болады.

1. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута. М: Мир, 1982. – 576 с.

2. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев П.К. //Дан.Уз.ССР, 1985, №4. с. 23-28

3. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев П.К. и др. // ЖФХ 1987. т. 61. № 11 с. 3065-3067

4. Карачинов В.А. //ФТП.1997. т.31. № 1 с. 53-55

5. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н., Курбатов М.К., Биланов Б.А. / ФТП. 2000 т. 34. вып.8. с. 929-931

6. Luis A, Mazgues, Lourdes Рelaz, Maria Aboy, Juave Bazbolla // Nud Jnstrum. Methods Phys. Res. b.2004.V. 216. P.57-61

7. Юхневич А.В., Лосик О.П., Кузнецов В.А., Паненко А.В., Поверхность. 2001. № 8 (95).

8. Кошеров Т.С., Жумабекова Г.Е. Генерация выделения кислорода в кремнии при термоотжиге // Вестник КазНИТУ 2016, № 4 с.313-318

9. Шапавалов В.П., Грядун В.И., Королев А.Е. Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении. // ФТП -1995, т.29. вып II. с.1995-2001

10. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов А.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М: Наука.1982. - с.208

11. Корнилов В.М., Лачинов А.Н. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП. 2003, т.37, вып.3, с. 323-327.

12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М: Мир,1984. т.1,2.

13. Кошеров Т.С., Ермолаев В.Н., Мэте А.Н. Модификация поверхности кремния при температурном воздействии // Сб.трудов межд. конференции ―Инженерное образование и наука в 21 веке‖ - Алматы, КазНИТУ им. К.И. Сатпаева, 2014, т. 2, с. 487-490.